三代10nm制程:美光开始量产16Gb DDR4与LPDDR4X内存颗粒

2019-08-19 09:50:22 来源:观察者网
美光周四宣布,该公司一开始量产基于第三代 10nm 制程(又称 1z nm)制程的存储芯片,首批到来的便是 16Gb DDR4 / LPDDR4 DRAM 器件。随着时间的推移,该公司还将进一步扩大其产品组合。与第二代 10nm 工艺相比, 新工艺使得美光能够提升 DRAM 芯片密度,在增强性能的同时、降低产品的功耗。

 



值得一提的是,第三代 10 nm 制程的 16Gb DDR4 器件功耗,较同频的两个 8Gb DDR4 DRAM 还要低 40% 。
 

至于 16 Gb LPDDR4X IC,美光称其更是提升了 10% 的能效。由于第三代 1Z nm 工艺较第二代 1Y nm 的比特密度更高,该公司可产出性价比更高的存储芯片
 

鉴于美光未透露 16 Gb DDR4 DRAM 的速度分档,我们只能预计其符合 JEDEC 的官方指定范围内。
 

预计首批 16 Gb DDR4 DRAM 产品将用于台式机、笔记本、工作站上的高容量(32GB 或更高)内存模组。
 

移动存储器方面,美光 16 Gb LPDDR4X 芯片的传输速率可达 4266 MT/s 。
 

除了为高端智能机提供高达 16 GB(8x16Gb)的 LPDDR4X DRAM 封装,美光还将提供基于 UFS 的多芯片封装(uMCP4),将 NAND 用于存储和 DRAM 。
 

该公司针对主流手机的 uMCP4 系列产品,将包括 3GB RAM + 64GB ROM 至 8GB RAM + 256GB ROM 等产品。
 

最后,美光没有透露其生产 1Z nm 制程 16 Gb DDR4 / LPDDR4X 芯片的工厂。不出意外的话,应该会在日本广岛工厂内生产。
 

与此同时,分析师猜测该公司会在台中附近的 Micron Memory Taiwan(前 Rexchip Semiconductor)晶圆厂启用 1Z nm 制程生产线。


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